首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布

“行家说三代半”获悉，国产氮化镓再次实现新的突破——西安电子科技大学联合广东致能科技首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：

● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；

● HEMTs器件的cp测试良率超过95%；

● 击穿电压轻松突破2000 V。

西安电子科技大学&致能科技：

全球首发8英寸GaN HEMTs

4月10日，在2024武汉九峰山论坛上，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关，首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。

据李祥东教授在会上介绍，通过调控外延工艺，其GaN外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V。

李祥东教授在2024武汉九峰山论坛上报道8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆

据行业人士推测，该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产，然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。

8英寸晶圆将是GaN成为主流电力电子器件的必由之路，其成本将极具竞争优势：

● 一方面，由于转向8英寸晶圆，每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍，GaN器件成本与6英寸方案相比也将大幅下降。

• 另一方面，采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压，市场应用从消费类转向工业和汽车等领域，需求进一步打开，而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货，氮化镓器件成本也有望进一步下降。

• 第三，叠加致能自主开发的超薄缓冲层和简单场板设计等优势，蓝宝石基GaN HEMTs晶圆成本还可降至更低。

关于西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心

广州第三代半导体创新中心是广州开发区管理委员会与西安电子科技大学共建的重大产业创新平台。聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域，建设高标准的研发代工公共服务平台和产业支撑体系，建设中试线，进行工程化技术开发，积极进行科技成果转化，孵化初创企业，促进第三代半导体上下游相关产业公司和人才在广州开发区聚集，协助推进第三代半导体产业链在广州开发区落地。

关于广东致能科技有限公司

广东致能科技有限公司成立于2018年12月，公司总部位于广州，在徐州、深圳、上海等地设有生产研发基地和市场销售中心。公司致力于氮化镓功率半导体器件的研发与生产，已建成外延、器件、封装、系统的全链条研发及生产能力。公司在常关型、垂直沟道氮化镓功率器件等方面拥有多项独特技术发明，具有完全自主知识产权。公司产品创新性强、可靠性高、应用广泛，具有非常强的市场竞争力。

公司采用垂直整合制造模式（IDM），已量产的第一代氮化镓功率器件产品在生产良率、工艺水平、系统效率及可靠性试验等方面已做到业内领先，产品在手机快充、电源适配器、照明驱动、通信电源、储能电源等领域广泛应用。

---本文转载自行家说三代半公众号